部分存储产品传来了涨价的消息。“这段时间有的涨了100%,有的一个月内涨了50% ,这个月涨幅非常大 。”深圳一家头部存储模组厂商的销售负责人张丽(化名)告诉第一财经记者,一些DRAM产品近期出现涨价,主要是DDR4和DDR3在涨 ,背后的驱动因素不是需求增长,而是原厂停产。
DRAM即动态随机存取存储器,是目前两种最主要的存储颗粒之一 ,DDR4和DDR3分别是第四和第三代双倍数据速率SDRAM。市场研究机构的数据也显示,近期DDR4价格涨势尤其迅猛 。
频频涨价
据闪存市场数据,在截至5月27日的一周内 ,多款DDR4产品环比价格上涨,其中DDR4 16Gb 3200、DDR4 8Gb 3200、DDR4 8Gb eTT价格分别环比上涨3.95% 、15%、10%。TrendForce集邦咨询本月23日、25日 、27日、28日和29日发布的市场动态中,也显示多种DDR4颗粒现货价格出现上涨 ,29日DDR4 8Gb 3200涨幅为4%。
“深圳市场表现火热,买家问价动作较多,部分DDR4价格持续拉升,目标价格也有所提高 ,但仍难以跟上报价 。” TrendForce集邦咨询在29日的市场动态报告中称。
“上周(采购时)我报你4元,你问3.8元行不行。这周再来问价,我说现在4.5元了 ,你又问能不能按上周报的4元,我说不好意思,马上变成4.8元了 。就是按这个节奏涨的。 ”张丽向记者形容。
涨价背后 ,今年2月,有消息称美光、三星和SK海力士可能在今年年底前停止生产DDR3和DDR4内存 。4月,有消息称三星通知了PC制造商 ,将在今年年底前停产DDR4,最后订购日期定在6月。
三星并未回应市场消息并证实DDR4停产,但市场上已出现连锁反应。TrendForce集邦咨询称 ,三星 、美光DDR3、DDR4停产传闻引发DRAM市场连锁反应,出现备货潮。“三星、SK海力士和美光针对PC及服务器的DDR4和LPDDR4产品陆续发布了EOL(终止生产)通知,最后发货时间预计在2026年第一季度至第二季度 。”TrendForce集邦咨询分析师许家源告诉记者,原厂宣布EOL后 ,买方纷纷抢购补充库存,使4月至5月的颗粒现货市场供给紧张,价格大幅上涨。
闪存市场称 ,在原厂停产部分DDR4 、减产LPDDR4X的持续影响下,引发的涨价效应蔓延至渠道成品,较低价的DDR5资源在渠道市场也愈发难觅 ,使本周渠道DDR5内存条也调涨价格。
不只DDR4在涨价,另一大类存储颗粒中,NAND Flash(一种主要的闪存颗粒)也有部分产品在涨价 。张丽告诉记者 ,涨价最多的是容量32Gb及32Gb以下的MLC NAND Flash,这类产品主要用于智能家居、电视、工业自动化设备 、智能穿戴产品等,三星占了这类产品较大的市场份额。据她所知 ,也是因为原厂发了停产通知,导致MLC NAND Flash市场供应减少,因此近期才会出现涨价。
近日有消息称,三星提前停产MLC NAND Flash ,通知只供应至6月,并希望通过涨价使客户知难而退,市场则对三星停供导致供应短缺问题感到担忧 ,大力囤货 。三星在给记者的回应中未提及MLC NAND Flash停供一事是否真实,而是表示,不对客户有关的事发表评论。
原厂调整生产
涨价是局部现象 ,虽然业内预计存储行情已在逐步改善,但市场还未因整体需求拔高而出现十分迅猛的整体涨价。
以NAND Flash为例,TrendForce集邦咨询29日发布的报告称 ,今年第一季度NAND Flash供应商在面对库存压力和终端客户需求下滑的情况下,平均销售价格下降了15%,出货量环比减少7% ,该季度前五大NAND Flash品牌厂营收合计120.2亿美元,环比减少24% 。预计第二季度NAND Flash价格将出现触底反弹,品牌厂商营收有望环比增加10%。
从存储市场整体规模看,也有存储供应链从业者向记者表示 ,预计今年将比去年有所增长,但幅度预计只有1%~2%。其背后,积极因素包括业内去库存后价格得到支撑、AI应用带来大容量存储需求 ,但整体终端需求还未强劲反弹 。
在这种情况下,之所以部分存储颗粒涨价,是因为这些产品并非最新一代的高性能产品 ,而原厂面向AI带来的新需求,正进行制程转换。
“现在DDR已经做到了DDR5,像三星、海力士这些原厂大厂 ,它们已经打算将产能转到高性能的产品上,例如HBM(高带宽内存,DRAM的一种) ,这部分(DDR3、DDR4)已经不是能带来高利润 、高毛利的业务了。”张丽解释。
许家源也告诉记者,一些DDR4和LPDDR4将终止生产,主要是因为PC及服务器应用已经逐步从DDR4转向DDR5,同时DDR4系列产品的价格和利润都较低 。
有消息称 ,三星停产DDR4后,将把生产资源集中在DDR5和HBM上。美光则在2025财年第二季度财报中提及销售HBM对毛利率的作用。美光称,该季度综合毛利率有所提高 ,原因就包括高利润的云产品特别是HBM的销售增加 。
MLC也不是NAND Flash最新的技术。MLC即多层单元,从MLC、TLC(三级单元)到QLC(四级单元),NAND颗粒存储密度越来越高。记者了解到 ,今年以来,包括长江存储、铠侠 、Solidigm在内,多家存储厂商已在极力推广QLC产品 ,推进产品迭代 。
面向AI时代调整产品结构的信号越来越明显。目前,高性能存储产品中,HBM已成为英伟达等高性能AI芯片的必备 ,采用QLC技术的NAND Flash也被认为适合运行AI应用的设备。有供应链厂商向记者解释,存储厂商着急推QLC背后,是AI PC、AI手机这些端侧设备需要存储密度增加 。
“原厂在产能资本支出上正在减少,同时存储技术朝更先进制程迁移。 ” CFM闪存市场总经理邰炜今年早些时候表示 ,在供应端,整体wafer(晶圆)产出相比以往的增量将明显减少,存储原厂的资本支出将更多投入更先进的封装技术或产品研发上 ,更侧重HBM、1c 、1γ和200层、300层这些先进产能。
美光在最新财报中表示,公司专注于在现有制造设备中增加HBM产能,以满足2026年的市场需求 。今年4月 ,美光进行了业务部门重组,新成立了向超大规模云客户提供内存解决方案、为数据客户中心客户提供HBM的云内存业务部。美光称,此次重组的背景是高性能内存和存储在推动AI发展方面越来越重要。
SK海力士也在加码布局HBM。去年第四季度HBM在SK海力士DRAM销售额中的占比超40% ,该公司预计今年该占比将提升至50%以上 。
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